English Κεφάλαιο σε βιβλίο
| Συγγραφείς: | Talyansky V., Vispute R., Sharma R., Choopun S., Downes M., Venkatesan T., Andronescu S., Iliadis A., Li Y., Salamanca-Riba L. |
|---|---|
| Τίτλος κεφαλαίου: | PLD of TiN Epitaxial Contacts on 6H-SiC and GaN |
| Βιβλίο: | Power Semiconductor Materials and Devices |
| Editors: | S. J. Pearton, R. J. Shul, E. Wolfgang, F. Ren, S.Teconi |
| Ed: | Όχι |
| Eds: | Ναι |
| Σελίδες: | 235-239 |
| Έτος: | 1998 |
| Τόπος: | |
| Publisher: | |
| Να εμφανιστεί: | Όχι |
| Δεσμός: | |
| Όνομα αρχείου: |