English Κεφάλαιο σε βιβλίο
| Συγγραφείς: | Vispute R., Talyansky V., Choopun S., Enck R., Dahmas T., Ogale S., Sharma R., Venkatesan T., Li Y., Iliadis A. |
|---|---|
| Τίτλος κεφαλαίου: | Pulsed Laser Deposition of Highly Crystalline GaN Films on Sapphire |
| Βιβλίο: | Nitride Semiconductors |
| Editors: | F. Ponce, S. DenBaars, B. Meyer, S. Nakamura, S. Strite |
| Ed: | Όχι |
| Eds: | Ναι |
| Σελίδες: | 343-348 |
| Έτος: | 1998 |
| Τόπος: | |
| Publisher: | |
| Να εμφανιστεί: | Όχι |
| Δεσμός: | |
| Όνομα αρχείου: |